三星今年或将大力推进先进DRAM生产

据悉，星今三星已经向子公司Semes采购了大量热压（TC）键合机。年或作为生产堆叠DRAM、将大进先进高带宽内存（HBM）以及DDR5等前沿技术所需设备之一，力推这种大型订单预示着三星有望在今年全力拓展先进DRAM产品。星今

消息透露，年或自2023年末起，将大进先进存储芯片价格逐渐上涨；尽管整个行业陷入衰退期，力推受服务器和数据中心应用拉动，星今先进DRAM芯片需求依然稳健。年或而在另一方面，将大进先进NAND闪存需求预计将继续走弱。力推

考虑到TC键合机订单数量庞大，星今据知情人士预测，年或三星还可能扩展订购广达制造的将大进先进Syndion（适用于硅通孔（TSV）蚀刻）及泛林集团的Damascene SABRE 3D设备两款，也主要用于HBM的制备过程。

此外，据相关媒体报道，三星计划提升1a、1bDRAM芯片产能。